| 專利名稱: | 一種制備高介電常數(shù)柵介質(zhì)薄膜鉿硅氧氮的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710178280.5 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-28 |
| 專利號(hào): | CN101447420 |
| 第一發(fā)明人: | 許高博 徐秋霞 柴淑敏 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種制備高介電常數(shù)柵介質(zhì)薄膜HfSiON的方法， 該方法包括：清洗硅片；對(duì)清洗后的硅片進(jìn)行淀積前氧化；在氧化后 的硅片上淀積高介電常數(shù)的HfSiON柵介質(zhì)薄膜；對(duì)淀積了HfSiON柵 介質(zhì)薄膜的硅片進(jìn)行超聲清洗；對(duì)清洗后的硅片進(jìn)行淀積后退火；在 退火后的硅片上形成金屬柵。利用本發(fā)明，解決了隨著小尺寸器件柵 介質(zhì)厚度的減薄而帶來(lái)柵介質(zhì)漏電急劇上升和功耗嚴(yán)重增大的問(wèn)題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出