| 專利名稱: | 一種制備金屬柵電極的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710178281.X |
| 申請日期: | 2007-11-28 |
| 專利號: | CN101447421 |
| 第一發(fā)明人: | 周華杰 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種用于超深亞微米技術(shù)互補金屬氧化物半導(dǎo)體器 件以及電路的金屬柵電極的制備方法，包括：局部氧化隔離或淺槽隔 離，進(jìn)行注入前氧化，然后注入14N+；漂凈注入前氧化膜，柵氧化， 并沉積多晶硅；光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極；注入雜質(zhì)，并進(jìn)行雜 質(zhì)激活；淀積金屬鎳Ni，退火硅化，使金屬鎳和多晶硅完全反應(yīng)形成 全硅化物金屬柵；選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳Ni。利用本發(fā)明，達(dá)到了 調(diào)節(jié)柵電極的功函數(shù)的目的。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出