| 專利名稱: | 一種引出亞微米HBT發(fā)射極/HEMT柵的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710178316.X |
| 申請日期: | 2007-11-28 |
| 專利號: | CN101447440 |
| 第一發(fā)明人: | 于進(jìn)勇 劉新宇 金 智 程 偉 夏 洋 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種引出亞微米HBT發(fā)射極/HEMT柵的方法，包 括：在制作的亞微米HBT發(fā)射極金屬/HEMT柵金屬之上制作犧牲介 質(zhì)層，并剝離形成帶有犧牲介質(zhì)層的HBT發(fā)射極金屬/HEMT柵金屬； 在基片具有HBT發(fā)射極/HEMT柵的表面之上涂平坦化材料，使基片 表面平坦；刻蝕所述平坦化材料，暴露所述犧牲介質(zhì)層；移除犧牲介 質(zhì)層，暴露需要互聯(lián)的金屬；清洗后，光刻、蒸發(fā)，制作金屬互聯(lián)。 利用本發(fā)明，提高了引出的可靠性和穩(wěn)定性，降低了工藝的復(fù)雜度。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出