| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 制作單片集成GaAs基PHEMT和PIN二極管的方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710178310.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-28 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101447449 |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種制作單片集成GaAs基PHEMT和PIN二極管的 方法，該方法依次包括以下工藝步驟：光刻PIN上電極、蒸發(fā)上電極 金屬、剝離上電極金屬、PIN臺(tái)面腐蝕隔離、同時(shí)光刻PIN下電極和 PHEMT源漏，蒸發(fā)PIN下電極和PHEMT源漏金屬、剝離PIN下電極 和PHEMT源漏金屬、歐姆接觸合金、PHEMT臺(tái)面腐蝕隔離、PHEMT 柵光刻、柵槽腐蝕、蒸發(fā)柵金屬、剝離柵金屬、生長(zhǎng)鈍化介質(zhì)、刻孔、 一次布線(xiàn)光刻、蒸發(fā)布線(xiàn)金屬、剝離布線(xiàn)金屬。本發(fā)明將GaAs基 PHEMT和PIN二極管集成在同一塊襯底上，實(shí)現(xiàn)了單片集成GaAs基 PHEMT和PIN二極管。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出