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專利名稱: 制作單片集成GaAs基MHEMT和PIN二極管的方法
專利類別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200710178320.6
申請(qǐng)日期: 2007-11-28
專利號(hào): CN101447450
第一發(fā)明人: 徐靜波 張海英 葉甜春
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號(hào):
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種制作單片集成GaAs基MHEMT和PIN二極管
的方法,該方法依次包括以下工藝步驟:光刻PIN上電極、蒸發(fā)上電
極金屬、剝離上電極金屬、PIN臺(tái)面腐蝕隔離、同時(shí)光刻PIN下電極
和MHEMT源漏,蒸發(fā)PIN下電極和MHEMT源漏金屬、剝離PIN下
電極和MHEMT源漏金屬、歐姆接觸合金、MHEMT臺(tái)面腐蝕隔離、
MHEMT柵光刻、柵槽腐蝕、蒸發(fā)柵金屬、剝離柵金屬、生長(zhǎng)鈍化介
質(zhì)、刻孔、一次布線光刻、蒸發(fā)布線金屬、剝離布線金屬。本發(fā)明將
GaAs基MHEMT和PIN二極管集成在同一塊襯底上,實(shí)現(xiàn)了單片集
成GaAs基MHEMT和PIN二極管。
其它備注: