專利名稱: | 制作單片集成GaAs基MHEMT和PIN二極管的方法 |
專利類別: | |
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710178320.6 |
申請(qǐng)日期: | 2007-11-28 |
專利號(hào): | CN101447450 |
第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 葉甜春 |
其它發(fā)明人: | |
國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專利證書號(hào): | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制作單片集成GaAs基MHEMT和PIN二極管 的方法,該方法依次包括以下工藝步驟:光刻PIN上電極、蒸發(fā)上電 極金屬、剝離上電極金屬、PIN臺(tái)面腐蝕隔離、同時(shí)光刻PIN下電極 和MHEMT源漏,蒸發(fā)PIN下電極和MHEMT源漏金屬、剝離PIN下 電極和MHEMT源漏金屬、歐姆接觸合金、MHEMT臺(tái)面腐蝕隔離、 MHEMT柵光刻、柵槽腐蝕、蒸發(fā)柵金屬、剝離柵金屬、生長(zhǎng)鈍化介 質(zhì)、刻孔、一次布線光刻、蒸發(fā)布線金屬、剝離布線金屬。本發(fā)明將 GaAs基MHEMT和PIN二極管集成在同一塊襯底上,實(shí)現(xiàn)了單片集 成GaAs基MHEMT和PIN二極管。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出