| 專利名稱: | 一種調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710178324.4 |
| 申請日期: | 2007-11-28 |
| 專利號: | CN101447454 |
| 第一發(fā)明人: | 周華杰 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，包括： 局部氧化隔離或淺槽隔離，進(jìn)行注入前氧化，然后注入14N+；漂凈注 入前氧化膜，柵氧化，并沉積多晶硅；光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極； 注入金屬雜質(zhì)；淀積金屬鎳Ni，退火硅化，使金屬鎳和多晶硅完全反 應(yīng)形成全硅化物金屬柵；選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳Ni。利用本發(fā)明， 易于集成，實(shí)現(xiàn)了與CMOS工藝的良好兼容。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出