| 專利名稱: | 單片集成砷化鎵基MHEMT和PIN二極管材料結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710178311.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-28 |
| 專利號(hào): | CN101447484 |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種單片集成GaAs基MHEMT和PIN二極管材料 結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由GaAs基MHEMT和PIN二極管兩部分組成，所述GaAs 基MHEMT和所述PIN二極管被N型高摻雜腐蝕截止層InP隔開；所 述GaAs基MHEMT由在GaAs襯底上依次分子束外延生長(zhǎng)的緩沖層 GaAs、應(yīng)變緩沖層InxAl1-xAs、溝道下勢(shì)壘層In0.52Al0.48As、溝道層 In0.53Ga0.47As、空間隔離層In0.52Al0.48As、平面摻雜層、勢(shì)壘層 In0.52Al0.48As和N型高摻雜蓋帽層In0.53Ga0.47As構(gòu)成；所述N型高摻雜 腐蝕截止層InP在所述N型高摻雜蓋帽層In0.53Ga0.47As上分子束外延 生長(zhǎng)而成；所述PIN二極管由在N型高摻雜腐蝕截止層InP上依次分 子束外延生長(zhǎng)的N型摻雜層In0.53Ga0.47As、不摻雜層In0.53Ga0.47As和P 型摻雜層In0.53Ga0.47As構(gòu)成。本發(fā)明將GaAs基MHEMT和PIN二極 管集成在同一塊襯底上，實(shí)現(xiàn)單片集成GaAs基MHEMT和PIN二極 管。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出