| 專利名稱: | 單片集成GaAs基PHEMT和PIN二極管材料結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710178321.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-28 |
| 專利號(hào): | CN101447485 |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種單片集成GaAs基PHEMT和PIN二極管材料結(jié) 構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由GaAs基PHEMT和PIN二極管兩部分組成，所述GaAs 基PHEMT和所述PIN二極管被N型高摻雜腐蝕截止層AlAs隔開(kāi)； 所述GaAs基PHEMT由在GaAs襯底上依次分子束外延生長(zhǎng)的緩沖層 GaAs、十個(gè)周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格層、溝道下勢(shì)壘層 Al0.22Ga0.78As、溝道層In0.2Ga0.8As、空間隔離層Al0.22Ga0.78As、平面摻 雜層、勢(shì)壘層Al0.22Ga0.78As、N型高摻雜蓋帽層GaAs構(gòu)成；所述N型 高摻雜腐蝕截止層AlAs在所述N型高摻雜蓋帽層GaAs上分子束外延 生長(zhǎng)而成；所述PIN二極管由在N型高摻雜腐蝕截止層AlAs上依次 分子束外延生長(zhǎng)的N型高摻雜層GaAs、不摻雜層GaAs、P型摻雜層 GaAs構(gòu)成。本發(fā)明將GaAs基PHEMT和PIN二極管集成在同一塊襯 底上，實(shí)現(xiàn)單片集成GaAs基PHEMT和PIN二極管。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出