| 專利名稱: | 管狀柵電極垂直溝道有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810227455.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-11-25 |
| 專利號(hào): | CN101447552 |
| 第一發(fā)明人: | 商立偉 劉 明 涂德鈺 劉 舸 劉興華 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了管狀柵電極垂直溝道有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，屬于有機(jī)微電子學(xué)領(lǐng)域。 該器件包括絕緣襯底上的源電極、介質(zhì)層、半導(dǎo)體層、管狀柵電極以及金屬漏電極。 其中器件的柵電極為管狀，包裹在中心區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層外圍。柵電極和有機(jī)半導(dǎo)體 層之間通過柵介質(zhì)互相隔離開。源電極和漏電極均為平面電極，分別位于器件的底部 和頂部，通過介質(zhì)層和柵電極分離。本發(fā)明提供的器件結(jié)構(gòu)通過把溝道方向從水平轉(zhuǎn) 變?yōu)榇怪?，只需要控制薄膜的生長(zhǎng)厚度就能夠有效控制器件的溝道長(zhǎng)度，避免了昂貴 的電子束光刻，是一種低成本的短溝道有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。同時(shí)本發(fā)明還提供了這種 器件的制備方法。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出