| 專利名稱: | 一種采用零點(diǎn)Q值增強(qiáng)技術(shù)的雙二階單元 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810227127.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-11-21 |
| 專利號(hào): | CN101447778 |
| 第一發(fā)明人: | 陳 勇 周玉梅 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種采用零點(diǎn)Q值增強(qiáng)技術(shù)的雙二階單元，包括：一差 分輸入級(jí)，包括兩個(gè)PMOS晶體管，接收差分輸入信號(hào)；一內(nèi)部源極跟隨器， 包括兩個(gè)PMOS晶體管，接收差分輸入級(jí)的輸出信號(hào)；一電流源，提供雙二 階單元支路電流；一級(jí)間差分電容，包括兩個(gè)電容，確定雙二階單元的極點(diǎn) 特性；一反相前饋電容組件，包括兩個(gè)電容，抵消非理想因素，提高零點(diǎn)Q 值；一同相前饋電容組件，包括兩個(gè)電容，確定雙二階單元的復(fù)數(shù)共軛零點(diǎn) 特性。本發(fā)明解決了零點(diǎn)Q值降低的問(wèn)題，提出一種采用零點(diǎn)Q值增強(qiáng)技 術(shù)的雙二階單元，可以采用級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì)方法實(shí)現(xiàn)零極點(diǎn)型高階濾波器。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出