| 專利名稱: | 基于硅襯底制作絕熱防粘連空腔的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710178776.2 |
| 申請日期: | 2007-12-05 |
| 專利號: | CN101450787 |
| 第一發(fā)明人: | 石莎莉 陳大鵬 歐 毅 景玉鵬 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種基于硅襯底制作絕熱防粘連空腔的方法，該方 法包括：在硅襯底上表面淀積SiNX薄膜；光刻，刻蝕該SiNX薄膜， 形成腐蝕窗口；腐蝕所述形成腐蝕窗口的硅襯底上表面，形成帶硅突 點的空腔；在硅襯底上表面淀積SiNX薄膜，密封腐蝕窗口。本發(fā)明提 供的方法工藝步驟簡單，成本低廉，生產效率高，工藝穩(wěn)定，具有很 強的實用價值，能夠適應大規(guī)模生產的要求。 |
| 其它備注: | |
科研產出