| 專利名稱: | 基于雙層膠工藝制作X射線曝光掩膜的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710178777.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-12-05 |
| 專利號(hào): | CN101452203 |
| 第一發(fā)明人: | 劉興華 涂德鈺 朱效立 謝常青 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制作X射線曝光掩膜的方法，該方法包括：在 硅襯底正面涂敷自支撐薄膜；在卡具的保護(hù)下，對(duì)硅襯底的背面進(jìn)行 各向同性刻蝕，形成鏤空的自支撐薄膜；在自支撐薄膜正面蒸鍍金屬 薄膜，作為電鍍襯底；在金屬薄膜上涂敷雙層電子束光刻膠；對(duì)涂敷 的雙層電子束光刻膠進(jìn)行電子束光刻、顯影、反應(yīng)離子刻蝕，形成雙 層光刻膠圖形；在雙層光刻膠圖形上電鍍金屬，形成X射線曝光掩膜 的阻擋層；剝離雙層電子束光刻膠，去除電鍍襯底。利用本發(fā)明，有 效的避免了襯底和金屬薄膜產(chǎn)生的背散射電子對(duì)上層膠的曝光，從而 提高了電子束光刻的精度，減小了負(fù)性電子束膠留膜率高的問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出