| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710178772.4 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-12-05 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101452819 |
| 第一發(fā)明人: | 吳茹菲 尹軍艦 張海英 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種制備用于離子注入的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，該方法 包括：在進(jìn)行離子注入之前進(jìn)行刻蝕，在待注入?yún)^(qū)形成用于離子注入 的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同。所述刻蝕采用 的光刻掩膜版與離子注入采用的光刻掩膜版相同。利用本發(fā)明，解決 了離子注入過(guò)程不能為下一步工藝提供對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形的問(wèn)題，而且無(wú) 需另外制備光刻掩膜版，簡(jiǎn)單易行，實(shí)現(xiàn)成本低。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出