| 專利名稱: | 采用電子束蒸發(fā)方式制備硅納米晶體的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710178770.5 |
| 申請日期: | 2007-12-05 |
| 專利號: | CN101452838 |
| 第一發(fā)明人: | 李維龍 賈 銳 劉 明 陳寶欽 龍世兵 謝常青 王 琴 涂德鈺 劉 琦 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種采用電子束蒸發(fā)方式制備硅納米晶體的方法， 該方法包括：在襯底上生長二氧化硅層；采用電子束蒸發(fā)方式將硅粉 末和二氧化硅粉末的混合物共同蒸發(fā)至該二氧化硅層上；高溫?zé)嵬嘶稹?br/>采用該方法制備的硅量子點(diǎn)顆粒的大小約為3至6nm，可用于單電子 器件、納米晶浮柵存儲器或單電子存儲器的制作等。這種方法具有工 藝步驟少、簡單、穩(wěn)定可靠、易于大規(guī)模制造、能與傳統(tǒng)的微電子工 藝兼容的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出