| 專利名稱: | 制備埋嵌硅納米晶的高介電常數(shù)柵介質(zhì)的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710178775.8 |
| 申請日期: | 2007-12-05 |
| 專利號: | CN101452844 |
| 第一發(fā)明人: | 李維龍 賈 銳 陳 晨 劉 明 陳寶欽 謝常青 龍世兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種采用電子束蒸發(fā)方式制備埋嵌硅納米晶的高介 電常數(shù)柵介質(zhì)的方法，該方法包括：在襯底上生長二氧化硅隧穿介質(zhì) 層；將高介電常數(shù)柵介質(zhì)的固體粉末和硅粉末的混合物通過電子束蒸 發(fā)技術蒸發(fā)至該二氧化硅層上；高溫熱退火。采用該方法制備的高介 電常數(shù)柵介質(zhì)埋嵌的硅量子點顆粒的大小約為3至6nm，可用于納米 晶浮柵存儲器的制作等。這種方法具有工藝步驟少、簡單、穩(wěn)定可靠、 易于大規(guī)模制造、能與傳統(tǒng)的微電子工藝兼容的優(yōu)點。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出