| 專利名稱: | 一種制作阻變存儲器交叉陣列的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710178769.2 |
| 申請日期: | 2007-12-05 |
| 專利號: | CN101452891 |
| 第一發(fā)明人: | 管偉華 龍世兵 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制作阻變存儲器交叉陣列的方法，該方法經(jīng)過 兩次光刻、兩次薄膜淀積、兩次剝離工藝，獲得阻變存儲器交叉陣列， 該方法包括：在基片表面上生長絕緣層薄膜；在絕緣層薄膜表面上涂 敷光刻膠，之后曝光、顯影得到下電極圖形；在下電極圖形上淀積下 電極材料；剝離淀積的下電極材料，得到交叉陣列線下電極；在下電 極上涂敷光刻膠，之后曝光、顯影得到電阻轉(zhuǎn)變層和上電極圖形；在 電阻轉(zhuǎn)變層和上電極圖形上淀積電阻轉(zhuǎn)變層材料和上電極材料；剝離 淀積的電阻轉(zhuǎn)變層材料和上電極材料，得到電阻轉(zhuǎn)變層和交叉陣列線 的上電極。利用本發(fā)明，降低了制作成本，提高了存儲器陣列的密度。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出