| 專利名稱: | 一種金屬納米晶浮柵非揮發(fā)性存儲器及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710178778.1 |
| 申請日期: | 2007-12-05 |
| 專利號: | CN101452963 |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 劉 明 賈 銳 陳寶欽 王 琴 涂德鈺 胡 媛 管偉華 劉 琦 李維龍 王 永 楊瀟楠 張 森 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種金屬納米晶浮柵非揮發(fā)性存儲器，包括：硅襯 底1、位于硅襯底1上兩側(cè)重?fù)诫s的源導(dǎo)電區(qū)6和漏導(dǎo)電區(qū)7、源導(dǎo)電 區(qū)6與漏導(dǎo)電區(qū)7之間的載流子溝道上覆蓋的隧穿介質(zhì)層2、覆蓋在隧 穿介質(zhì)層2上的金屬納米晶浮柵層3、覆蓋在金屬納米晶浮柵層3上的 控制柵介質(zhì)層4，以及覆蓋在控制柵介質(zhì)層4上的柵電極材料層5。本 發(fā)明同時公開了一種金屬納米晶浮柵非揮發(fā)性存儲器的制作方法。利 用本發(fā)明，降低了浮柵結(jié)構(gòu)非揮發(fā)性存儲器的編程/擦除電壓和操作功 耗，提高了編程/擦除操作速度、數(shù)據(jù)保持特性、編程/擦除耐受性等存 儲性能，提高了器件的集成度，并簡化了制作工藝，降低了制作成本， 提高了制作效率。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出