| 專利名稱: | 一種制備硅納米晶薄膜的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710179368.9 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-12-12 |
| 專利號(hào): | CN101457346 |
| 第一發(fā)明人: | 陳 晨 賈 銳 李維龍 劉 明 陳寶欽 龍世兵 謝常青 涂德鈺 劉 琦 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制備硅納米晶薄膜的方法，包括：在硅襯底上 熱生長二氧化硅層；將一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物作 為靶材通過磁控濺射法沉積至所述二氧化硅層上，形成富硅的混合物 薄膜層；在氮?dú)鈿夥障聦⑿纬傻幕旌衔锉∧痈邷赝嘶鹦纬晒杓{米晶 薄層。采用本發(fā)明提供的方法制備的納米晶直徑在4至6nm，主要應(yīng) 用于硅單電子器件、單電子存儲(chǔ)器、硅納米晶浮柵存儲(chǔ)器、納米晶光 電探測器等器件的制備中，適合大規(guī)模生產(chǎn)的要求。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出