| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 基于絕緣體上硅的雙探頭PMOS輻射劑量計(jì) |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710179354.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-12-12 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101458337 |
| 第一發(fā)明人: | 劉夢(mèng)新 韓鄭生 趙超榮 劉 剛 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明涉及電離輻射劑量測(cè)量領(lǐng)域，公開(kāi)了一種基于SOI技術(shù)的 可重復(fù)利用PMOS輻射劑量計(jì)，包括背柵電極、多晶硅化物層、半導(dǎo) 體襯底、隱埋氧化層、頂層硅膜、體接觸區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)、源電極、 漏電極、正柵氧化層、正柵多晶硅層和正柵電極。本發(fā)明將劑量計(jì)制 作于SOI襯底之上，具有兩種測(cè)量不同劑量率的電極探頭；采用不同 方式的正、背柵調(diào)柵注入以調(diào)節(jié)探頭測(cè)量范圍；利用與頂層硅膜同型 的重?fù)诫s區(qū)域形成與源區(qū)短接的體接觸；源/體、漏/體以及正、背柵與 各自電極間利用多晶硅化物互聯(lián)；正柵采用多根柵條叉指形式并聯(lián)以 增大探頭敏感區(qū)域；劑量計(jì)退火過(guò)程控制及偏置條件、退火溫度和時(shí) 間調(diào)節(jié)；可調(diào)整量程的堆疊劑量計(jì)測(cè)量電路的方法及結(jié)構(gòu)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出