| 專利名稱: | 一種制作氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法 |
| 專利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710179353.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-12-12 |
| 專利號(hào): | CN101459080 |
| 第一發(fā)明人: | 李誠(chéng)瞻 魏 珂 鄭英奎 劉果果 和致經(jīng) 劉新宇 劉 鍵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種制作GaN基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，包括：對(duì) GaN基材料層進(jìn)行表面處理，淀積二氧化硅保護(hù)層；光刻形成光刻對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記，干法刻蝕二氧化硅保護(hù)層，蒸發(fā)標(biāo)記金屬；光刻形成源漏圖 形，干法刻蝕二氧化硅保護(hù)層，蒸發(fā)源漏金屬；高溫退火合金；光刻 形成屏蔽有源區(qū)圖形，離子注入形成有源區(qū)隔離；濕法腐蝕二氧化硅 保護(hù)層；在GaN基材料表面淀積氮化硅，對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行鈍化；電子 束直寫(xiě)或光學(xué)光刻制作柵線條，干法刻蝕氮化硅和頂層的GaN基材料 層形成柵槽結(jié)構(gòu)，蒸發(fā)柵金屬，金屬布線。本發(fā)明避免了GaN基材料 表面裸露在空氣中，防止了GaN基材料表面在制作工藝過(guò)程中被污染， 抑制了AlGaN/GaN HEMTs的電流崩塌效應(yīng)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出