| 專利名稱: | 采用電子束蒸發(fā)方式制備HfO2納米晶的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710179371.0 |
| 申請日期: | 2007-12-12 |
| 專利號: | CN101459085 |
| 第一發(fā)明人: | 李維龍 賈 銳 陳 晨 劉 明 陳寶欽 龍世兵 謝常青 王 琴 涂德鈺 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種采用電子束蒸發(fā)方式制備HfO2納米晶的方法， 該方法包括：在襯底上生長二氧化硅層；采用電子束蒸發(fā)方式將HfO2 粉末和二氧化硅粉末的混合物共同蒸發(fā)至該二氧化硅層上；高溫快速 熱退火。采用該方法制備的HfO2量子點顆粒的直徑大小約為4至8nm， 可用于浮柵存儲器的制作等。這種方法具有工藝步驟少、簡單、穩(wěn)定 可靠、易于大規(guī)模制造、能與傳統(tǒng)的微電子工藝兼容的優(yōu)點。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出