| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種制備有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710179352.8 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-12-12 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101459222 |
| 第一發(fā)明人: | 甄麗娟 劉 明 商立偉 劉 舸 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種制備有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，該方法包括： 在襯底上采用光刻和剝離工藝形成分立的金屬柵電極；在襯底和柵電 極上形成柵介質(zhì)絕緣層；在柵介質(zhì)絕緣層上旋涂光刻膠，經(jīng)過(guò)曝光顯 影得到光刻膠掩模版圖形；在柵介質(zhì)絕緣層和光刻膠掩模版圖形上垂 直蒸鍍形成有機(jī)半導(dǎo)體層；采用兩次傾斜蒸鍍，分別形成源、漏電極。 本發(fā)明在制備源、漏電極時(shí)巧妙利用斜蒸，簡(jiǎn)化了工藝步驟的同時(shí)也 避免了對(duì)有機(jī)層的損傷。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出