| 專利名稱: | 一種制備交叉線陣列結(jié)構(gòu)有機(jī)分子器件的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710179369.3 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-12-12 |
| 專利號(hào): | CN101459223 |
| 第一發(fā)明人: | 商立偉 劉 明 涂德鈺 甄麗娟 劉 舸 劉興華 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制備交叉線陣列結(jié)構(gòu)有機(jī)分子器件的方法，包 括：在基片上淀積絕緣層薄膜；在所述絕緣層薄膜上沉積金屬下電極 層；在所述金屬下電極層上制備雙穩(wěn)態(tài)有機(jī)分子薄膜層；在所述有機(jī) 分子薄膜層上沉積金屬保護(hù)層；在所述金屬保護(hù)層上旋涂抗蝕劑，光 刻得到下電極的膠圖形層；采用所述膠圖形層掩蔽刻蝕金屬保護(hù)層、 有機(jī)分子薄膜層和金屬下電極層；去除光刻膠層；采用鏤空掩膜版制 備金屬上電極層。利用本發(fā)明，由于事先刻蝕了保護(hù)層，避免了刻蝕 保護(hù)層時(shí)等離子體對(duì)上電極的損傷；采用水溶性光刻膠，避免了通常 去除光刻膠過(guò)程中有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)高分子材料的損傷；并減少了工藝 步驟，提高了加工效率，解決了該有機(jī)材料與微電子工藝的兼容性問(wèn) 題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出