| 專利名稱: | 適用于增強型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的柵退火方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710303895.6 |
| 申請日期: | 2007-12-26 |
| 專利號: | CN101471260 |
| 第一發(fā)明人: | 黎 明 徐靜波 付曉君 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種適用于增強型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT 器件的柵退火方法，該方法包括：采用濕法腐蝕形成隔離臺面，然后 光刻柵條；蒸發(fā)Ti/Pt/Au柵金屬結(jié)構(gòu)，接著常規(guī)剝離形成金屬圖形； 最后在高溫快速退火爐內(nèi)，在氮氣氣氛下退火，溫度范圍為280至320 度，時間為10至40分鐘，形成增強型器件柵極。利用本發(fā)明，解決 了DCFL IC的邏輯擺幅Vm小(受勢壘高度的固有限制)的問題，達 到了精確控制E-HEMT域值電壓Vth的目的，成功制作了穩(wěn)定一致的 增強型器件，保證了增強型器件域值電壓在零以上，確保了E/D型器 件及其邏輯電路正常工作。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出