| 專利名稱: | 二元過渡族金屬氧化物非揮發(fā)電阻轉(zhuǎn)變型存儲器 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710304220.3 |
| 申請日期: | 2007-12-26 |
| 專利號: | CN101471421 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 琦 劉 明 龍世兵 賈 銳 管偉華 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種基于離子注入的二元過渡族金屬氧化物非揮發(fā) 電阻轉(zhuǎn)變型存儲器，該存儲器包括：一上導(dǎo)電電極；一下導(dǎo)電電極； 一位于該上導(dǎo)電電極與下導(dǎo)電電極之間的二元過渡族金屬氧化物薄 膜，該二元過渡族金屬氧化物薄膜中注入有離子。本發(fā)明在二元過渡 族金屬氧化物中注入離子，可以極大地提高器件的產(chǎn)率，增加器件高、 低阻態(tài)之間的比值，減小各個器件之間電阻轉(zhuǎn)變特性的離散值。本發(fā) 明的存儲器器件具有結(jié)構(gòu)簡單，易集成，成本低，與傳統(tǒng)的硅平面 CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)，有利于本發(fā)明的廣泛推廣和應(yīng)用。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出