| 專利名稱: | 存儲器及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910078247.4 |
| 申請日期: | 2009-02-23 |
| 專利號: | CN101494224 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 王 琴 胡 媛 郭婷婷 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種冠狀勢壘復合隧穿層的俘獲 型浮柵非易失存儲器，包括：硅襯底，在硅襯底上重摻雜的源導電區(qū)和漏 導電區(qū)，在源、漏導電區(qū)之間的載流子溝道上覆蓋的由高k材料介質(zhì)/SiO2 材料介質(zhì)/高k材料介質(zhì)組成的復合隧穿層，在復合隧穿層上覆蓋的俘獲型 浮柵層、在俘獲型浮柵層上覆蓋的高k材料或SiO2材料控制柵介質(zhì)層，和 在控制柵介質(zhì)層上覆蓋的柵材料層。同時公開了一種冠狀勢壘復合隧穿層 的俘獲型浮柵非易失存儲器的制作方法。利用本發(fā)明，綜合改善了浮柵非 易失存儲器的存儲性能，并且制作工藝簡單，降低了制作成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出