| 專利名稱: | 存儲器及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910078245.5 |
| 申請日期: | 2009-02-23 |
| 專利號: | CN101494225 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 王 琴 胡 媛 郭婷婷 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種冠狀勢壘復(fù)合隧穿層的納米晶浮柵非易失存儲器， 包括：硅襯底，在硅襯底上重摻雜的源導(dǎo)電區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，在源、漏導(dǎo)電 區(qū)之間的載流子溝道上覆蓋的由高k材料介質(zhì)/SiO2材料介質(zhì)/高k材料介 質(zhì)組成的復(fù)合隧穿層，在復(fù)合隧穿層上覆蓋的納米晶浮柵層、在納米晶浮 柵層上覆蓋的高k材料或SiO2材料控制柵介質(zhì)層，和在控制柵介質(zhì)層上覆 蓋的柵材料層。同時公開了一種制作上述存儲器的方法。利用本發(fā)明，綜 合改善了浮柵非易失存儲器的存儲性能，提高了編程/擦除速度和耐受性、 數(shù)據(jù)保持特性，降低了編程/擦除電壓和操作功耗，折衷了編程/擦除效率 和數(shù)據(jù)保持的矛盾，提高了集成度，并且制作工藝簡單，降低了制作成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出