| 專(zhuān)利名稱: | CMOS器件金屬柵極及其形成方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910078421.5 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-20 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101494236 |
| 第一發(fā)明人: | 王文武 陳世杰 陳大鵬 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明提供一種CMOS器件金屬柵極及其形成方法。 通過(guò)本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，通過(guò)改變金屬柵極的厚度，能夠使金屬 柵極材料在相同高介電常數(shù)柵介質(zhì)上的有效功函數(shù)值發(fā)生明顯變化，從而能 夠以簡(jiǎn)單有效的方式實(shí)現(xiàn)對(duì)有效功函數(shù)的調(diào)節(jié)，并進(jìn)而可有效調(diào)節(jié)高k柵介 質(zhì)/金屬柵極結(jié)構(gòu)CMOS器件的閾值電壓，由此得到能夠滿足納米CMOS器 件的閾值電壓要求的高k柵介質(zhì)/金屬柵極結(jié)構(gòu)CMOS器件。此外，利用本 發(fā)明提供的技術(shù)方案，可以簡(jiǎn)化高k柵介質(zhì)/金屬柵極結(jié)構(gòu)CMOS器件的加 工流程，不僅可以減少雙金屬柵薄膜的沉積工藝，而且還可以克服雙金屬柵 結(jié)構(gòu)的復(fù)雜圖樣蝕刻問(wèn)題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出