| 專利名稱: | 鎢鈦合金納米晶浮柵結(jié)構(gòu)及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910078478.5 |
| 申請日期: | 2009-02-24 |
| 專利號: | CN101494237 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 楊仕謙 王 琴 龍世兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種用于快閃存儲器的鎢鈦合金納米晶浮柵結(jié)構(gòu)，屬于微電子技術(shù) 領(lǐng)域。該結(jié)構(gòu)包括硅襯底，以及在所述硅襯底上依次覆蓋的氧化硅層、高介電常數(shù)薄 膜、鎢鈦合金納米晶電荷存儲層、阻擋層以及柵材料層。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)提高了浮柵結(jié) 構(gòu)的非揮發(fā)性存儲單元的編程/擦除效率、編程/擦除(P/E)速度、有效電荷存儲能力、 數(shù)據(jù)保持特性、編程/擦除耐受性等存儲性能。本發(fā)明同時公開了一種制作鎢鈦合金納 米晶浮柵結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明的方法簡便，并兼容于傳統(tǒng)CMOS硅平面工藝。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出