| 專利名稱: | 一種電子束曝光散射參數(shù)的提取方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910080196.9 |
| 申請日期: | 2009-03-25 |
| 專利號: | CN101510050 |
| 第一發(fā)明人: | 趙 珉 陳寶欽 劉 明 牛潔斌 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種電子束曝光散射參數(shù)的提取方法。為了解決現(xiàn)有電子束曝 光散射參數(shù)提取方法中操作繁瑣且難以保證準(zhǔn)確性的問題，本發(fā)明提供一種電 子束曝光散射參數(shù)的提取方法，該方法根據(jù)所要進行參數(shù)提取的電子束抗蝕劑 及襯底結(jié)構(gòu)特性設(shè)計出合適的前散射參數(shù)α、背散射參數(shù)β以及背散射與前散 射沉積能量之比η的提取版圖；然后在待測的電子抗蝕劑及襯底結(jié)構(gòu)上分別對 三種設(shè)計的版圖進行變劑量的電子束直寫曝光；最后根據(jù)多組不同參數(shù)曝光、 顯影及剝離后的圖形結(jié)構(gòu)特征確定一組合適的散射參數(shù)。本發(fā)明無需進行大量 煩瑣的測量，因此不存在測量誤差，并減少了由于數(shù)學(xué)處理帶來的誤差，使參 數(shù)提取準(zhǔn)確且簡單易行。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出