| 專利名稱: | 用于X射線曝光的光刻掩模結(jié)構(gòu)及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810057937.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-02-21 |
| 專利號(hào): | CN101515110 |
| 第一發(fā)明人: | 朱效立 謝常青 葉甜春 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于X射線曝光的光刻掩模結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由低 原子序數(shù)金屬薄膜、聚酰亞胺薄膜和高原子序數(shù)金屬吸收體圖形自下 而上依次構(gòu)成。本發(fā)明同時(shí)公開(kāi)了一種制備光刻掩模結(jié)構(gòu)的方法。利 用本發(fā)明，因?yàn)椴捎昧说驮有驍?shù)金屬鋁、聚酰亞胺和高原子序數(shù)金 屬吸收體的多層膜結(jié)構(gòu)，完全可以用于微米、深亞微米和納米尺度下 的X射線光刻。與基于無(wú)機(jī)薄膜的掩模相比，具有成本低、工藝流程 簡(jiǎn)單、不容易破裂等優(yōu)點(diǎn)；與有機(jī)薄膜的掩模相比，還具有機(jī)械強(qiáng)度 大、不容易變形、導(dǎo)熱性能好等優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出