| 專利名稱: | 具有緊密體接觸的射頻SOI LDMOS器件 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810057921.6 |
| 申請日期: | 2008-02-21 |
| 專利號: | CN101515586 |
| 第一發(fā)明人: | 劉夢新 畢津順 范雪梅 趙超榮 韓鄭生 劉 剛 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及射頻功率器件領域，公開了一種具有緊密體接觸的射 頻SOI LDMOS器件，包括底層硅、隱埋氧化層、頂層硅、P-區(qū)、N- 區(qū)、柵氧化層、多晶硅柵層、柵多晶硅化物層、柵電極、氮化硅側墻、 N-漂移區(qū)、漏區(qū)、漏區(qū)硅化物層、漏電極、源區(qū)、體接觸區(qū)、體區(qū)及 源區(qū)硅化物層、源電極。本發(fā)明將射頻LDMOS器件制作于SOI襯底 之上，利用與P-區(qū)同型的重摻雜區(qū)域形成與源區(qū)短接的緊密體接觸； 源/體、漏/體以及柵與各自電極間利用硅化物互聯(lián)；采用多根柵條叉指 形式并聯(lián)以增大器件驅動能力；設計與CMOS工藝兼容的調(diào)正、背柵 注入、N-區(qū)注入以及N-漂移區(qū)注入方法；設計與CMOS工藝兼容的 N-漂移區(qū)硅化物掩蔽方法。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出