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專利名稱: 具有H型柵的射頻SOI LDMOS器件
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200810057936.2
申請日期: 2008-02-21
專利號: CN101515588
第一發(fā)明人: 劉夢新 畢津順 范雪梅 趙超榮 韓鄭生 劉 剛
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明涉及射頻功率器件領(lǐng)域,公開了一種具有H型柵的射頻SOI L
DMOS器件,包括底層硅、隱埋氧化層、頂層硅、P-區(qū)、N-區(qū)、H
型柵氧化層、H型多晶硅柵層、H型柵多晶硅化物層、柵電極、氮化
硅側(cè)墻、N-漂移區(qū)、漏區(qū)、漏區(qū)硅化物層、漏電極、源區(qū)、體引出區(qū)、
源區(qū)硅化物層、源電極。本發(fā)明將射頻LDMOS器件制作于SOI襯底
之上,利用與P-區(qū)同型的重?fù)诫s區(qū)域形成與源區(qū)短接的體引出;源/
體、漏/體以及柵與各自電極間利用硅化物互聯(lián);采用多根H型柵條叉
指形式并聯(lián)以增大器件驅(qū)動能力。同時公開了與CMOS工藝兼容的調(diào)
正、背柵注入、N-區(qū)注入以及N-漂移區(qū)注入方法,以及與CMOS工
藝兼容的N-漂移區(qū)硅化物掩蔽方法。
其它備注: