專利名稱: | 具有H型柵的射頻SOI LDMOS器件 |
專利類別: | |
申請?zhí)?/strong>: | 200810057936.2 |
申請日期: | 2008-02-21 |
專利號: | CN101515588 |
第一發(fā)明人: | 劉夢新 畢津順 范雪梅 趙超榮 韓鄭生 劉 剛 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費情況: | |
實施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | 本發(fā)明涉及射頻功率器件領(lǐng)域,公開了一種具有H型柵的射頻SOI L DMOS器件,包括底層硅、隱埋氧化層、頂層硅、P-區(qū)、N-區(qū)、H 型柵氧化層、H型多晶硅柵層、H型柵多晶硅化物層、柵電極、氮化 硅側(cè)墻、N-漂移區(qū)、漏區(qū)、漏區(qū)硅化物層、漏電極、源區(qū)、體引出區(qū)、 源區(qū)硅化物層、源電極。本發(fā)明將射頻LDMOS器件制作于SOI襯底 之上,利用與P-區(qū)同型的重?fù)诫s區(qū)域形成與源區(qū)短接的體引出;源/ 體、漏/體以及柵與各自電極間利用硅化物互聯(lián);采用多根H型柵條叉 指形式并聯(lián)以增大器件驅(qū)動能力。同時公開了與CMOS工藝兼容的調(diào) 正、背柵注入、N-區(qū)注入以及N-漂移區(qū)注入方法,以及與CMOS工 藝兼容的N-漂移區(qū)硅化物掩蔽方法。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出