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專利名稱: 基于X射線曝光技術(shù)制作透光納米壓印模板的方法
專利類別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200810100954.4
申請(qǐng)日期: 2008-02-27
專利號(hào): CN101520600
第一發(fā)明人: 劉興華 徐德鈺 朱效立 謝常青 劉 明
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號(hào):
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種基于X射線曝光技術(shù)制作透光納米壓印模板的
方法,透明納米壓印模板是由電子束光刻制成納米X射線曝光模版,
該方法通過X射線曝光,將納米圖形轉(zhuǎn)移到不導(dǎo)電的石英作為襯底的
光刻膠上,顯影后通過蒸發(fā)金屬、剝離工藝,得到石英襯底上的金屬
納米圖形,將金屬作為阻擋層使用反應(yīng)離子刻蝕石英,得到石英上的
納米圖形,去除金屬完成透光納米壓印模板的制作。本發(fā)明解決了無
法在不導(dǎo)電的襯底上電子束光刻得到高分辨率圖形的問題。同時(shí),本
發(fā)明實(shí)現(xiàn)了透光納米壓印模板,為納米壓印提供了方便的對(duì)準(zhǔn)手段,
使紫外固化納米壓印成為可能。
其它備注: