| 專利名稱: | 一種單電子存儲器的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910080195.4 |
| 申請日期: | 2009-03-25 |
| 專利號: | CN101521181 |
| 第一發(fā)明人: | 賈 銳 李維龍 陳 晨 朱晨昕 李昊峰 張培文 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及納米器件制作技術(shù)領(lǐng)域的一種單電子存儲器的制備方法。為了 解決現(xiàn)有單電子存儲器制備技術(shù)中工藝步驟復(fù)雜的缺點，本發(fā)明的目的在于提 供一種單電子存儲器的制備方法，采用電子束光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)制作電極圖 形和導(dǎo)電溝道，通過光學(xué)光刻和剝離方式制作源、漏接觸電極，通過電子束蒸 發(fā)手段制備薄層硅，然后通過快速熱退火技術(shù)將表面的薄層硅制作成硅量子 點，最后通過剝離工藝制作柵電極。本發(fā)明工藝步驟簡單，能與傳統(tǒng)的微電子 工藝兼容。使用本發(fā)明方法制備的單電子存儲器具有很大的一致性，且操作電 壓低、功耗小。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出