| 專利名稱: | 硅基納米柱陣列異質(zhì)結(jié)薄膜太陽能電池及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910080138.6 |
| 申請日期: | 2009-03-24 |
| 專利號: | CN101521239 |
| 第一發(fā)明人: | 陳 晨 賈 銳 朱晨昕 李維龍 李昊峰 張培文 趙盛杰 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種硅基納米柱陣列異質(zhì)結(jié)薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于太 陽能電池制造領(lǐng)域領(lǐng)域。所述方法包括在P型太陽能級硅襯底上制備金屬納米晶掩蔽 層；以金屬納米晶掩蔽層作為掩蔽，采用干法刻蝕硅襯底，制備垂直的硅納米柱陣列； 去除金屬納米晶掩蔽層；依次沉積本征非晶硅層和N型非晶硅層并形成異質(zhì)結(jié)；最后 沉積透明導(dǎo)電薄膜層以及制備上接觸電極和下接觸電極。采用本法可一次性大面積的 制備上述太陽能能電池陣列，大大降低了成本。此外，本方法制備工藝簡單，成本低， 具有很好的制備效率和工藝穩(wěn)定性。且工藝步驟完全與現(xiàn)有的晶體硅、薄膜硅太陽能 電池的制備工藝兼容。易于大規(guī)模推廣。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出