| 專利名稱: | 光調(diào)制熱成像焦平面陣列的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910080277.9 |
| 申請日期: | 2009-03-17 |
| 專利號: | CN101538005 |
| 第一發(fā)明人: | 焦斌斌 陳大鵬 歐 毅 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明是關(guān)于一種光調(diào)制熱成像焦平面陣列的制作方法，包括如下步 驟：步驟1.在單晶硅片上表面制造重?fù)诫s層；步驟2.按照預(yù)設(shè)圖案，在 單晶硅片上表面刻蝕溝槽；步驟3.在溝槽內(nèi)壁覆蓋氧化硅層；步驟4.生 長多晶硅填滿溝槽；步驟5.在單晶硅片上表面覆蓋薄膜層A；步驟6.在 薄膜層A上覆蓋金屬層；步驟7.按照預(yù)設(shè)圖案，刻蝕金屬層；步驟8.按 照預(yù)設(shè)圖案，刻蝕薄膜層A；步驟9.按照預(yù)設(shè)圖案，從硅片背面腐蝕單晶 硅；步驟10.按預(yù)設(shè)圖案，腐蝕摻雜層，得到帶硅支撐框架的全鏤空結(jié)構(gòu) 光調(diào)制熱成像焦平面陣列。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出