| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 光調(diào)制熱成像焦平面陣列的制作方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910301822.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-04-24 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101538006 |
| 第一發(fā)明人: | 焦斌斌 陳大鵬 歐 毅 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明是關(guān)于一種光調(diào)制熱成像焦平面陣列的制作方法，包括如下步驟：步驟1.在單 晶硅片上表面制造重?fù)诫s層；步驟2.按照預(yù)設(shè)圖案，在單晶硅片上表面刻蝕溝槽；步驟3. 在溝槽內(nèi)壁覆蓋氧化硅層；步驟4.生長(zhǎng)非晶硅填滿(mǎn)溝槽；步驟5.在單晶硅片上表面覆蓋薄 膜層A；步驟6.在薄膜層A上覆蓋金屬層；步驟7.按照預(yù)設(shè)圖案，刻蝕金屬層；步驟8.按 照預(yù)設(shè)圖案，刻蝕薄膜層A；步驟9.按照預(yù)設(shè)圖案，從硅片背面腐蝕單晶硅；步驟10.按預(yù) 設(shè)圖案，腐蝕摻雜層，得到帶硅支撐框架的全鏤空結(jié)構(gòu)光調(diào)制熱成像焦平面陣列。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出