| 專利名稱: | 一種基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910301765.8 |
| 申請日期: | 2009-04-23 |
| 專利號: | CN101540284 |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體材料、器件技術(shù)領(lǐng)域的一種基于ZnO納米線的整流二極管的制 作方法。本發(fā)明提供一種基于ZnO納米線的整流二極管的制作方法，其步驟包括生長介質(zhì)、 制作ZnO納米線定位標(biāo)記、將ZnO納米線轉(zhuǎn)移并淀積在介質(zhì)上、對ZnO納米線進(jìn)行定位、制作 電極。本發(fā)明利用ZnO納米線材料特性，經(jīng)過上述工藝流程，制作出有別于傳統(tǒng)PN結(jié)二極管 整流特性的基于ZnO納米線的整流二極管，基于ZnO納米線的整流二極管在納米光電子學(xué)和電 子學(xué)、生物傳感等領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價值，本發(fā)明為以后制作納米量級整流二極管器件帶來 了新的思路。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出