| 專利名稱: | 一種背柵ZnO多納米線溝道場效應(yīng)晶體管的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910301768.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-04-23 |
| 專利號(hào): | CN101540287 |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 付曉君 張海英 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體材料、器件技術(shù)領(lǐng)域的一種背柵ZnO多納米線溝道場效應(yīng)晶體 管的制作方法。為了解決現(xiàn)有ZnO納米線場效應(yīng)晶體管工作電流小、與實(shí)際應(yīng)用有較大差距 的問題，本發(fā)明提供一種背柵ZnO多納米線溝道場效應(yīng)晶體管的制作方法，其步驟包括介質(zhì) 生長、背柵電極制作、底層源漏電極制作、使用交流雙向介電電泳技術(shù)初步固定ZnO納米線 、使用基于AFM的納米操控技術(shù)精確操控ZnO納米線、頂層源漏電極制作。本發(fā)明將多根ZnO 納米線作為并聯(lián)溝道并懸浮于空中，能夠大幅度提高器件的電流、跨導(dǎo)、截止頻率等器件性 能以及紫外、氣體、化學(xué)傳感性能。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出