專利名稱: | 實(shí)現(xiàn)微波開關(guān)及其邏輯控制電路單片集成的制作方法 |
專利類別: | |
申請?zhí)?/strong>: | 200810102206.X |
申請日期: | 2008-03-19 |
專利號: | CN101540296 |
第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 徐靜波 付曉君 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | 本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體MMIC技術(shù)領(lǐng)域,公開一種采用GaAs 增強(qiáng)/耗盡型PHEMT技術(shù)實(shí)現(xiàn)微波開關(guān)及其邏輯控制電路單片集成的 制作方法,利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工藝,制備出性能良好的 DC~10GHz SPDT MMIC,將全耗盡型微波開關(guān)與反相器邏輯電路集成 于同一芯片內(nèi),基本實(shí)現(xiàn)邏輯電路與開關(guān)電路的集成,整個電路只需 要1位控制信號,有效的減少了開關(guān)電路的控制端口數(shù)目,節(jié)省了芯 片面積。為將來采用E/D HEMT技術(shù)實(shí)現(xiàn)更大規(guī)模、更復(fù)雜電路集成 奠定了良好基礎(chǔ)。發(fā)明具有成效明顯,工藝設(shè)計(jì)簡單易行,經(jīng)濟(jì)適用 和可靠性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn),容易在微波、毫米波化合物半導(dǎo)體電路制作中采 用和推廣。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出