| 專利名稱: | 單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810102205.5 |
| 申請日期: | 2008-03-19 |
| 專利號: | CN101540297 |
| 第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 徐靜波 付曉君 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制 作方法，包括：對源漏進(jìn)行光刻，蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸，實(shí)現(xiàn) 源漏的制備；采用濕法腐蝕形成隔離臺面，采用分步柵工藝，挖柵槽， 分別蒸發(fā)Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極， 實(shí)現(xiàn)柵極的制備；采用PECVD生長一層SiN介質(zhì)，濺射NiCr合金制 作電阻；刻孔，蒸發(fā)一次布線金屬，再長介質(zhì)SiN，再進(jìn)行光刻二次布 線Ti/Au；常規(guī)金屬剝離形成金屬圖形。利用本發(fā)明，采用改良的E/D MHEMT工藝技術(shù)，制備出性能良好的MHEMT 9階和15階環(huán)型振蕩 器，對E/D MHEMT制備工藝技術(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證，確保了內(nèi)部器件特性 的測量更精確。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出