| 專利名稱: | 一種制備硅納米晶超晶格結(jié)構(gòu)的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810102796.6 |
| 申請日期: | 2008-03-26 |
| 專利號: | CN101546703 |
| 第一發(fā)明人: | 賈 銳 李維龍 陳 晨 劉 明 陳寶欽 謝長青 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制備硅納米晶超晶格結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括： 在襯底上生長二氧化硅層；將硅顆粒與金屬氧化物顆粒的混合物蒸發(fā) 至所述二氧化硅層上；對樣品進行高溫?zé)嵬嘶?。采用本發(fā)明方法制備 的量子點顆粒的大小約為3至6nm，可用于單電子器件或單電子存儲 器的制作，特別是用于太陽能電池的制作等。這種方法具有工藝步驟 少、簡單、穩(wěn)定可靠、易于大規(guī)模制造、能與傳統(tǒng)的微電子工藝兼容 的優(yōu)點。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出