| 專利名稱: | 在HBT工藝中同時(shí)制作基極和集電極接線柱的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810103229.2 |
| 申請日期: | 2008-04-02 |
| 專利號(hào): | CN101552199 |
| 第一發(fā)明人: | 金 智 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種在HBT工藝中同時(shí)制作基極和集電極接線柱的 方法，包括：A.在已進(jìn)行發(fā)射極、基極金屬以及集電極臺(tái)面腐蝕的基 片上，旋涂光刻膠，光刻、顯影，制作集電極金屬圖形；B.蒸發(fā)集電 極金屬；C.剝離集電極金屬；D.進(jìn)行接線柱圖形的光刻；E.蒸發(fā) 接線柱金屬；F.剝離接線柱金屬。利用本發(fā)明，由于將基極、集電極 接線柱的工藝通過一次工藝完成，節(jié)省了大量的人力和物力，所以簡 化了制作工藝，降低了制作成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出