| 專利名稱: | 實(shí)現(xiàn)ZnO納米線到場效應(yīng)管襯底沉積和定位的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810103254.0 |
| 申請日期: | 2008-04-02 |
| 專利號: | CN101552204 |
| 第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 付曉君 徐靜波 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)ZnO納米線到場效應(yīng)管襯底沉積和定位的 方法，該方法包括：在場效應(yīng)管襯底上采用正性光刻膠和陰版光刻， 顯影形成按照一定規(guī)律排列的光刻膠凹槽；采用超聲乙醇水解法將 ZnO納米線從原生長襯底上剝離；采用滴管將ZnO納米線滴到所述布 滿光刻膠凹槽的場效應(yīng)管襯底上，實(shí)現(xiàn)將ZnO納米線沉積在該場效應(yīng) 管襯底上；蒸發(fā)掉乙醇，使ZnO納米線掉入光刻膠凹槽中，在襯底上 形成按一定方向和固定位置的ZnO納米線。利用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了ZnO 納米線從原玻璃襯底到場效應(yīng)管襯底的沉積和定位的方法，解決了 ZnO納米線上沉積到器件襯底后的雜亂排列的問題，實(shí)現(xiàn)了納米線的 精確定位。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出