專利名稱: | 實(shí)現(xiàn)ZnO納米線到場效應(yīng)管襯底的定位方法 |
專利類別: | |
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810103255.5 |
申請(qǐng)日期: | 2008-04-02 |
專利號(hào): | CN101552205 |
第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 付曉君 徐靜波 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請(qǐng)日期: | |
國外申請(qǐng)方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
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實(shí)施情況: | |
專利證書號(hào): | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)ZnO納米線到場效應(yīng)管襯底的定位方法, 該方法包括:在場效應(yīng)管襯底上采用正性光刻膠和十字陽版光刻,顯 影形成按照一定規(guī)律排列的十字;蒸發(fā)Ti/Au形成金屬十字Marker以 及十字兩側(cè)的隊(duì)列標(biāo)記;采用超聲乙醇水解法將ZnO納米線從原生長 襯底上剝離;采用滴管將包含ZnO納米線的液滴滴入所述金屬十字 Marker中央,利用十字marker和兩側(cè)的隊(duì)列標(biāo)記定位出納米線所在的 位置。利用本發(fā)明,實(shí)現(xiàn)了ZnO納米線從原玻璃襯底到場效應(yīng)管襯底 的沉積和定位,解決了ZnO納米線上沉積到器件襯底后的雜亂排列的 問題,實(shí)現(xiàn)了納米線的精確定位。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出