| 專利名稱: | 在ZnO納米線場效應管制備中實現(xiàn)ZnO納米線固定的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810103256.X |
| 申請日期: | 2008-04-02 |
| 專利號: | CN101552206 |
| 第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 付曉君 徐靜波 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種在ZnO納米線場效應管制備中實現(xiàn)ZnO納米線 固定的方法，該方法包括：在場效應管襯底上涂一層5214原膠，采用 陰版光刻曝光后，將ZnO納米線沉積到襯底上，不去膠，再涂一層5214 原膠，再曝光，蒸發(fā)Ti/Au源漏金屬，利用源漏pad金屬將ZnO納米 線固定住，從而實現(xiàn)ZnO納米線的固定。由于本發(fā)明采用了雙層膠光 刻技術，所以解決了ZnO納米線場效應晶體管制備過程中納米線從襯 底脫落的問題，避免器件失效。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出