| 專利名稱: | 一種制備ZnO頂柵納米線場(chǎng)效應(yīng)管的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810103258.9 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-04-02 |
| 專利號(hào): | CN101552207 |
| 第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 付曉君 徐靜波 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種制備ZnO頂柵納米線場(chǎng)效應(yīng)管的方法，該方法 包括：A.在襯底上生長(zhǎng)SiO2介質(zhì)層，涂膠、前烘，RIE打底膠，采 用十字或凹槽版對(duì)襯底進(jìn)行光刻；B.將ZnO納米線從原襯底上剝離， 滴到場(chǎng)效應(yīng)晶體管襯底上進(jìn)行沉積，利用ZnO納米線作為場(chǎng)效應(yīng)晶體 管的溝道；C.涂膠，進(jìn)行源漏制備，蒸發(fā)金屬Ti/Au與ZnO納米線 形成歐姆接觸電極；D.采用濺射Al2O3后光刻膠剝離的方法形成柵氧； E.光刻?hào)艞l形成柵極。本發(fā)明具有成效明顯，工藝簡(jiǎn)單易行，經(jīng)濟(jì)適 用和可靠性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，容易在微波、毫米波化合物半導(dǎo)體器件制作中 采用和推廣。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出