| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 單片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810103226.9 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-04-02 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101552236 |
| 第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 徐靜波 付曉君 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種單片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法， 該方法包括：對(duì)GaAs基E/D MHEMT外延片進(jìn)行有源區(qū)隔離和腐蝕； 對(duì)進(jìn)行有源區(qū)隔離和腐蝕后的外延片進(jìn)行漏源制備；采用分步柵工藝， 挖柵槽，蒸發(fā)Ti/Pt/Au分步形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極；金屬剝離， 形成金屬圖形。利用本發(fā)明，能夠制作出性能良好的E/D MHEMT器 件，成功的將增強(qiáng)型MHEMT器件和耗盡型MHEMT器件集成于同一 芯片內(nèi)，具有成效明顯，工藝簡(jiǎn)單易行，經(jīng)濟(jì)適用和可靠性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)， 容易在微波、毫米波化合物半導(dǎo)體器件制作中采用和推廣。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出