| 專利名稱: | npn型InGaAs/InP DHBT外延層結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810103253.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-04-02 |
| 專利號(hào): | CN101552284 |
| 第一發(fā)明人: | 金 智 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種npn型InGaAs/InP雙異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管 (DHBT)外延層結(jié)構(gòu)，該DHBT結(jié)構(gòu)包括依次相鄰接的發(fā)射極、基 極和集電極，所述集電極從靠近基極向遠(yuǎn)離基極的方向依次包括n型 InGaAs退后層、n型InGaAsP過渡層、n型InP重?fù)诫s層、n型InP層 和n型集電極接觸層。利用本發(fā)明，可避免載流子在超晶格結(jié)構(gòu)中隧 穿對(duì)運(yùn)動(dòng)速度的降低，能提高DHBT的頻率特性，消除了InGaAs基極 和InP集電極所形成的導(dǎo)帶尖峰。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出